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晶体管的输入特性曲线

时间:2018-09-12 11:36 来源:未知 编辑:admin

核心提示

晶体管的输入特性曲线 在晶体管的输出端加上固定的直流电压,在输入端加上一个变化的电压进行测量,晶体管的输入端电压与输入端电流之间的变化关系可以描绘成一条连续变化的曲...

晶体管的输入特性曲线


     在晶体管的输出端加上固定的直流电压,在输入端加上一个变化的电压进行测量,晶体管的输入端电压与输入端电流之间的变化关系可以描绘成一条连续变化的曲线,这条曲线称为晶体管的输入特性凸线。改变对晶体管输出端所加的的固定电压,进行测量画图,可以得出与之对应的一组输入特性曲线。这组曲线称为曲线“族”,它就是我们通常在一些教科书或手册中所看到的晶体管输入特性曲线。

    研究和分析晶体管输入曲线的目的是:从晶体管输入特性曲线族中,直观地找出晶体管的输入特性和相关参数,作为晶体管电路设计时的重要参考。
    我们知道,晶体管在放大电路有3种接法:共发射极接法、共集电极接和共基极接法。而共发射极接法在放大电路中应用最广,因此晶体管输入一输出特性曲线主要是以共发射极接法测得的,下面的介绍也是以这种接法为依据进行的。
    在共发射极电路中,所谓对晶体管的输出端所加电压,就是在它的集电极C与发射极E之间所加的电压。晶体管的输入端所加电压,就是在它的基极B与发射极E之间所加的电压。图1-95所示是晶体管共发射极电路的输入特性测量电路,其中图1-95 (a)所示为PNP型管测量电路,图1·95 (b)所示是NPN型管的测量电路。
    图1-96所示是由图1-95所示测量电路所测得的晶体管输入特性曲线,其中图1-96 (a)所示是以PNP型锗晶体管3AG1为例所作的输入特性曲线族,图1-96 (b)所示则是以NPN型硅晶体管3DG4为例所作的输入特性曲线族。
    根据晶体管输入特性曲线,对共发射极电路中晶体管输入特性分析如下。
    ①当集电极与发射极间开路时(即C、E间断开),由于只有B、E间加有电压。此时的特性曲线只是发射结的特性曲线,相当于一只二极管的伏安特性曲线,它的正向导通电压为0.2V(锗管),反向电流为/EBO,击穿电压为BVEBO。
    ②当集电极与发射极间短路时(Ve。=0),当基极电压为正时,它的基极电流比CE间开路时增大,因此特性曲线左移。当基极电压为负时,相当于集电极开路时的特性,发射极一基极间的反相饱和电流相当于/EBO与/CBO之和(/CBO是发射极开路时,集电极一基极间反向饱和电流)。
    ③当Vce>O,即C、E间反偏时,在与上述Ueb相同的情况下,集电极电流ic增大,基极电流ib减小,所以曲线右移。Vce愈大,曲线移动程度也越大。但当Vce超过一定值时(增加量超过1V时),对基极电流ib的影响减弱,故曲线右移量减小。
    ④对于NPN型硅管的特性曲线分析,可以比照锗管进行,但应注意电源极性的不同和B-E间正向导通电压为0.6V。

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