据悉，台积电3纳米将继续采取目前的FinFET晶体管技术。

这意味着台积电确认了3纳米工艺并非FinFET技术的瓶颈，甚至还非常有自信能够在相同的FinFET技术下，在3纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。

当制程下探，电路无可避免的会遭遇到控制的困难，产生如漏电、电压不稳定等的短通道效应（Short-channel Effects）。而为了有效抑制短通道效应，尽可能的增加电路的面积，提高电子流动的稳定性，就是半导体制造业者重要的考量，而鳍式晶体管（FinFET）架构就因此而生。

FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。但这个立体结构的微缩也非无极限，一但走到了更低的制程之后，必定要转采其他的技术，否则摩尔定律就会就此打住。

也因此，三星电子（Samsung）在2019年就宣布，将在3纳米制程世代，改采闸极全环（Gate-All-Around，GAA）的技术，作为他们FinFET之后的接班制程；无独有偶，目前的半导体龙头英特尔（Intel），也在不久前宣布，将投入GAA技术的开发，并预计在2023年推出采用GAA制程技术的5纳米芯片。

由于世界前两大的半导体厂都相继宣布投入GAA的怀抱，因此更让人笃定，也许3纳米将会是GAA的时代了，因为至3纳米制程，FinFET晶体管就可能面临瓶颈，必须被迫进入下个世代。

唯独台积电，仍将在3纳米世代延续FinFET晶体管的技术。进入3纳米世代，也因此他们不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。而对客户来说，也将不用有太多的设计变更，也有助于客户降低生产的成本。若最终的产品性能还能与竞争对手平起平坐，那台积电可能又将在3纳米产品世代再胜一筹。

尤其是对客户来说，在先进制程的开发里变更设计，无论是改变设计工具或者是验证和测试的流程，都会是庞大的成本，时间和金钱都是。因此若能维持当前的设计体系，对台积电和客户来说，都会是个双赢局面。