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锗检波二极管的特性参数

来源:网络发布者:电工基础发布时间:2026-03-06 22:18

锗检波二极管的特性参数 ①正向电压降VF: 检波二极管通过额定正向电流时，在极间产生的电压降。②额定正向电流lF: 在规定的使用条件下，允许通过的最大工作电流。③最高反向工作电压VR : 它等于半导体二极管击穿电压

锗检波二极管的特性参数

①正向电压降VF: 检波二极管通过额定正向电流时，在极间产生的电压降。
②额定正向电流lF: 在规定的使用条件下，允许通过的最大工作电流。
③最高反向工作电压VR : 它等于半导体二极管击穿电压的2/3 。
④击穿电压VB: 是指二极管在工作中能承受的最大反向电压，它也是使二极管不致反向击穿的电压极限值。
⑤零点结电容C 二极管在零偏置下的总电容量。
⑥检波效率η:在二极管输入端加上10.7MHz 正弦电压时，在输出端上的直流电压与输入端的峰值电压之比。

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