PN结的构成

PN结的构成

把一块半导体硅片或锗片，通过一定的工艺方法.一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会形成一个薄层，这个薄层就是PN 结.如图14-2 (a) 所示。这个PN 结有一个很特别的性能，就是有单方向导电的能力。

如果将P 型半导体部分连接至电源的正电极，N 型半导体部分连接电源的负电极，这种连接称为正向连接，在电子技术中叫做正向偏置在正向偏置的条件下， N 区电压较P 区为负，它将吸引P 区的多数载流子(空穴)，使之穿过PN 结流向N 区; P 区电压较N 区电压为正，也将吸引N 区的多数载流子(电子)，使之穿过PN 区流向P 区;同时P 区少数载流子(电子)和N 区少数载流子(空穴)受到排斥，不能穿过PN 结。两个区中的多数载流子向对方区的运动就形成了正向电流I， 如图14-2 (b) 所示。由于电流是由多数载流子形成的，所以PN 结表现出来的正向电阻很小。

若把半导体的P 区和N 区分别连接电源的负极和正极，这时的连接称为反向连接，又称为反向偏置。在反向偏置的条件下，仅有少数载流子穿过PN 结形成反向电流，如图14-2(c)所示。由于少数载流子的数量很少.所能形成的电流很微弱，此时PN 结表现出来的反向电阻将很大。

综上所述， PN 结的导电性能在正向、反向偏置下是不一样的，具有单向导电的性能。半导体二极管的基本工作原理就是以PN 结的单向导电性为基础的。