东芝展出新款超结构造MOSFET 缩短内置二极管反向恢复时间

　　东芝开发出提高了内置二极管（体二极管）恢复特性的超结（Super Junction）构造MOSFET“DTMOS”，并在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“PCIM 2013”上进行了展示。新产品的耐压为600V，与该公司原产品相比，缩短了内置二极管的反向恢复时间（trr）。

　　此次东芝展出了三款开发产品，包括最大电流为15.8A、导通电阻为0.23Ω的“TK16A60W5”；最大电流为30.8A、导通电阻为0.099Ω的“TK31A60W5”；以及最大电流为38.8A、导通电阻为0.074Ω的“TK39A60W5”。

　　内置二极管的反向恢复时间方面，TK16A60W5为100ns（标称值），而东芝的原产品则为280ns。新产品的温度特性也进一步提高，在150℃的温度下工作时，反向恢复时间为140ns。据解说员介绍，“其他公司产品的反向恢复时间大都在160ns左右”。