当入射光很微弱时,普通光电管产生的光电流很小,只有零点几μA,很不容易探测。这时常用光电倍增管对电流进行放大,下图为其内部结构示意图。
1. 光电倍增管的结构和工作原理
由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成;次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的,次阴极多的可达30级;阳极是最后用来收集电子
的,收集到的电子数是阴极发射电子数的105~106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时,它就能产生很大的光电流。

2. 光电倍增管的主要参数
(1)倍增系数M 倍增系数M等于n个倍增电极的二次电子发射系数δ的乘积。如果n个倍增电极的δ都相同,则M=




光电倍增管的特性曲线
(2)光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度
一个光子在阴极上能够打出的平均电子数叫做光电倍增管的阴极灵敏度。而一个光子在阳极上产生的平均电子数叫做光电倍增管的总灵敏度。
光电倍增管的最大灵敏度可达10A/lm,极间电压越高,灵敏度越高;但极间电压也不能太高,太高反而会使阳极电流不稳。
另外,由于光电倍增管的灵敏度很高,所以不能受强光照射,否则将会损坏。
(3)暗电流和本底脉冲
一般在使用光电倍增管时,必须把管子放在暗室里避光使用,使其只对入射光起作用;但是由于环境温度、热辐射和其它因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流,这种电流称为暗电流,这是热发射所致或场致发射造成的,这种暗电流通常可以用补偿电路消除。
如果光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全蔽光情况下,出现的电流称为本底电流,其值大于暗电流。增加的部分是宇宙射线对闪烁体的照射而使其激发,被激发的闪烁体照射在光电倍增管上而造成的,本底电流具有脉冲形式。
(4)光电倍增管的光谱特性
光谱特性反应了光电倍增管的阳极输出电流与照射在光电阴极上的光通量之间的函数关系。对于较好的管子,在很宽的光通量范围之内,这个关系是线性的,即入射光通量小于10-4lm时,有较好的线性关系。光通量大,开始出现非线性,如图所示。
什么是感应电机?什么是无刷电机?二者有何区...
时间:2026-10-23
多核DSP的多路同步时钟信号设计
时间:2026-10-23
什么是lcd12864?lcd12864的特性及其应用举例
时间:2026-10-23
IoT无线连接基础知识
时间:2026-10-23
光是一种电磁波,那么光的频率是多少?
时间:2026-10-22
DRAM简介
时间:2026-10-22
电容耦合是什么意思呀?
时间:2026-10-22
什么是单总线
时间:2026-10-21
STM32的CAN总线通信实现
时间:2026-10-21
什么是电源管理?有什么作用
时间:2026-10-20
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
半导体行业之ICT技术简介
时间:2026-03-09