3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数
表1.1.14：
| 原型号 |
3DG6 |
测试条件 | ||||||
| 新型号 |
3DG100A |
3DG100B |
3DG100C |
3DG100D | ||||
极限参数 |
PCM(mW) |
100 |
100 |
100 |
100 |
|||
ICM(mA) |
20 |
20 |
20 |
20 |
||||
BVCBO(V) |
≥30 |
≥40 |
≥30 |
≥40 |
Ic=100μA | |||
BVCEO(V) |
≥20 |
≥30 |
≥20 |
≥30 |
Ic=100μA | |||
BVEBO(V) |
≥4 |
≥4 |
≥4 |
≥4 |
IE=100μA | |||
直流参数 |
ICBO(μA) |
≤0.01 |
≤0.01 |
≤0.01 |
≤0.01 |
VEB=10V | ||
ICEO(μA) |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
VCE=10V | |||
IEBO(μA) |
≤0.01 |
≤0.01 |
≤0.01 |
≤0.01 |
VEB=1.5V | |||
VBES(V) |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
Ic=10mA IB=1mA | |||
VCES(V) |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
Ic=10mA IB=1mA | |||
hFE |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
VCE=10V Ic=3mA | |||
| 交流 参数 |
fT(MHz) |
≥150 |
≥150 |
≥300 |
≥300 |
VCE=10V IE=3mA f=100MHz RL=5Ω | ||
Kp(dB) |
≥7 |
≥7 |
≥7 |
≥7 |
VCE=-6V IE=3mA f=100MHz | |||
Cob(pF) |
≤4 |
≤4 |
≤4 |
≤4 |
VCE=10V IE=0 | |||
什么是感应电机?什么是无刷电机?二者有何区...
时间：2026-10-23
多核DSP的多路同步时钟信号设计
时间：2026-10-23
什么是lcd12864?lcd12864的特性及其应用举例
时间：2026-10-23
IoT无线连接基础知识
时间：2026-10-23
光是一种电磁波,那么光的频率是多少?
时间：2026-10-22
DRAM简介
时间：2026-10-22
电容耦合是什么意思呀?
时间：2026-10-22
什么是单总线
时间：2026-10-21
STM32的CAN总线通信实现
时间：2026-10-21
什么是电源管理?有什么作用
时间：2026-10-20
电阻的单位
时间：2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级！
时间：2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间：2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间：2026-03-09
什么是室温超导？半导体时代将走向结束？芯...
时间：2026-03-09
HTCC：半导体封装的理想方式
时间：2026-03-06
什么是硅片或者晶圆？一文了解半导体硅晶圆
时间：2026-03-09
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间：2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间：2026-03-09
半导体行业之ICT技术简介
时间：2026-03-09