不同工作区域的MOSFET各端子之间的电容是多少？

【夹断区】

器件关断时，源漏不导通，没有反型层。栅极到源极和漏极的电容是相等的，都是等于CovW，栅极到衬底的电容是由氧化层电容和耗尽层电容串联得到。即C GB =(WLC ox )C d /(WLC ox +C d )，源极和漏极到衬底的电容也是相等的。

【深三极管区】

下面到深三极管区，形成反型层，源漏导通。源极和漏极有近似相等的电压，栅极到沟道的电容WLCox就被栅源和栅漏平分了，各得(WLC ox )/2，所以此时栅极到源极和漏极的电容是相等的，都是等于(WLC ox )/2+CovW

【饱和区】

最后到饱和区。我们主要考虑栅源和栅漏电容。饱和区，沟道夹断，所以栅极到沟道的电容就不会被栅漏分得，所以栅漏电容还是保持原来器件关断时的电容CovW，栅源电容是会分得栅极到沟道的电容，但是由于饱和区沟道各处电压是不均匀的，所以栅氧化层中的垂直电场沿着沟道方向不均匀，可以证明，这种不均匀下的等效电容大小为(2WLC ox )/3，这些都被栅源电容分走了，所以饱和区总的栅源电容是(2WLC ox )/3+CovW。

明白了不同工作区域电容的来源之后，再看拉扎维书上对栅源和栅漏电容随Vgs的变化曲线就很好理解了。