双向可控硅仿真设计

无阴极短路点：

(1)正向特性

(2)反向特性

高压双向可控硅（SCR）具有阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率（dv/dt）高、开通阳极电流上升率（di/dt）高、抗辐射能力强等特点。

器件设计考虑：一是原始高阻单晶硅材料参数(高阻单晶硅电阻率、厚度、少子寿命等) 的选择及P-区（等效NPN晶体管基区，薄基区）、N-区（等效PNP晶体管基区，厚基区）结构设计，同时满足产品高阻断电压、低饱和压降及低漏电流特性；二是芯片门极、阴极区结构及芯片面积的设计，同时满足大初始导通面积（高di/dt）、高dv/dt、高电流容量和低导通延迟；三是非对称N+缓冲层的设计和实现，N+缓冲层的制备方法选择，通过调整N+缓冲层的掺杂浓度及杂质浓度分布来获得较好的非对称特性，同时实现高阻断特性和低通态压降。