跨导放大器噪声分析

随着大规模复杂集成电路的不断发展，噪声对于集成电路性能的潜在危害越来越大。近年来，对于噪声的探究已经受到了广泛的关注。随着集成电路特征尺寸的进一步减小，综合水平的不断提高，噪声已经成为一个不容忽视的问题。

不断提高的小型化技术和创新逻辑设计使噪声新问题从模拟和混合信号领域蔓延到纯模拟和纯数字设计领域。噪声在集成电路中是一个很大的问题，特别是当一个敏感电路要接收弱信号，而它又位于进行着各种计算、控制逻辑和有频繁跳变信号的电路旁路时，会影响敏感电路的工作及性能，甚至可以毁掉整个芯片。

SPICE集成电路分析程序与MOSFET模型

Level 1 简单MOSFET模型

Level 2 2μm 器件模拟分析

Level 3 0.9μm 器件数字分析

BSIM 1 0.8μm 器件数字分析

BSIM 2 0.3μm 器件模拟与数字分析

BSIM 3 0.5μm 器件模拟分析与0.1m 器件数字分析

Level=6 亚微米离子注入器件

Level=50 小尺寸器件模拟电路分析

Level=11 SOI器件

对电路设计工程师来说, 采用什么模型参数在很大程度上还取决于能从相应的工艺制造单位得到何种模型参数。

指标分析

偏置电流与功耗、开环增益、GBW与相位裕 度、压摆率、Swing Range、失调、噪声、 工艺corner分析、温度特性分析等

单位增益带宽 GBW≈gm1/(Cc+CGD3)

主极点p1≈1/[Ro1gm3Ro(Cc+CGD3)]

第二极点p2≈gm3/(CL+Co)

零点 z≈1/[(Cc+CGD3)(gm3-1-Rz)]

.ac dec 10 1k 500meg

.noise v(out2) VVDC 10