pn节的形成

PN结的形成

如果把一块本征半导体的两边掺入不同的元素，使一边为P型，另一边为N型，则在两部分的接触面就会形成一个特殊的薄层，称为PN结。PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。

如图所示是一块两边掺入不同元素的半导体。由于P型区和N型区两边的载流子性质及浓度均不相同，P型区的空穴浓度大，而N型区的电子浓度大，于是在交界面处产生了扩散运动。P型区的空穴向N型区扩散，因失去空穴而带负电；而N型区的电子向P型区扩散，因失去电子而带正电，这样在P区和N区的交界处形成了一个电场（称为内电场）。

PN结内电场的方向由N区指向P区，如图所示。

在内电场的作用下，电子将从P区向N区作漂移运动，空穴则从N区向P区作漂移运动。经过一段时间后，扩散运动与漂移运动达到一种相对平衡状态，在交界处形成了一定厚度的空间电荷区叫做PN结，也叫阻挡层，势垒。

PN结的形成：

PN结不是简单的把P型半导体与N型半导体组合在一起；而是在同一基片上通过扩散工艺制作一个P区和一个N区。

扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。

内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动，组织了扩散运动的进行。

因电场作用所产生的运动称为漂移运动（少数载流子运动）。

参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。