干法刻蚀原理
刻蚀作用：去除边缘PN结，防止上下短路。
干法刻蚀原理：利用高频辉光放电反应，使CF4气体激活成活性粒子，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与硅材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。
干法刻蚀化学方程式：
去磷硅玻璃作用：去除硅片表面因扩散形成的磷硅玻璃层，并清洁表面，为PECVD做准备。
去磷硅玻璃原理：利用HF与SiO2反应，去除磷硅玻璃层。
去磷硅玻璃化学方程式：
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