近日,“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,西安交通大学、极智半导体产业网(www.casmita.com)、第三代半导体产业主办,西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合(东莞)职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。
期间,“平行论坛2:光电子器件及应用”上,山东大学副教授徐明升带来了“金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究”的主题报告,分享了针对氢终端金刚石MESFET器件、高k栅介质的氢终端金刚石MOSFET以及基于金刚石紫外光电探测器的研究进展与成果。



研究探索了金掩膜制备工艺,实现了高性能氢终端金刚石 MESFET 器件。利用 MESFET 器件解决了传统两端探测器响应度较低的问题。实现了高性能氢终端金刚石 MOSFET 器件。
首次在金刚石器件中应用 MOSFET 结构进行紫外光响应测试,为金刚石基紫外探测器的研究拓展了新思路。同时,针对 MOSFET 结构光电晶体管只在常温下进行了测试,应当在高温下测试 MOSFET 结构光电晶体管的紫外探测性能,研究氢终端金刚石晶体管器件在高温等恶劣环境下的探测性能。
审核编辑:刘清
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