森国科推出大功率IGBT分立器件

森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换，以提高整体的用电效率和质量，因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见，IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。

森国科KG050Z12P1M1、KG075Z12P1M1 ，采用精细沟槽栅场截止型IGBT芯片结构，结构如下图示，在12寸硅晶圆生产制造。在实际场景应用中，它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。

森国科IGBT元胞结构图

森国科IGBT采用软穿通FS层的设计，可有效提升开关速度，降低开关损耗；

森国科采用精细沟槽栅元胞结构提升电流密度使的IGBT具有低导通压降，更小的导通损耗；

森国科优化了终端结构设计和材料匹配，提升了器件的长期可靠性；

森国科优化了芯片设计，使器件具备优秀的短路能力。

森国科IGBT新品采用行业标准化的封装形式，便于器件在不间断电源、储能、光伏逆变器等多个领域的应用。具体应用电路可参考：

1

IGBT在不间断电源（UPS）中的应用

2

IGBT在光伏逆变器中的应用

3

IGBT在变频器中的应用

4

IGBT在储能中的应用

5

IGBT在电焊机中的应用

审核编辑：刘清