电阻式传感器测量电路

　　电阻式传感器测量电路

　　以典型的固态压阻式压力传感器为例，硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化。用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯登电桥（Wheats tone bridge），利用硅材料的弹性力学特性，在同-片硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。再给传感器匹配一个放大电路及相关外围部件，使之输出一一个标准信号，就组成了一台完整的变送器。

　　硅压阻式传感器一般对温度比较敏感，但随着集成工艺技术的进步，扩散硅敏感膜的四个电阻一致性也得到进一步提高，而且在新一代的传感器中，原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动修调等技术所替代，传感器的温度系数已经非常小了，工作温度范围也大幅度提高了。

　　热电阻式传感器测量电路

　　热电阻的测量电路通常采用不平衡电桥来转换，热电阻在工业测量桥路中的接法常采用两线制（如图2所示）和三线制（如图3所示）两种。采用三线制电桥可消除和减小引线电阻的影响。

　　2热电阻两线测量桥路

　　1—电阻体 2—引出线 3—显示表

　　3热电阻三线测量桥路

　　1—电阻体 2—引出线 3—显示表