一、过充导致的鼓包
过度充电会导致正极材料里的锂原子全部跑到负极材料里面,导致正极原本饱满的栅格发生变形垮塌,这也是锂电池包电量下降的一个主要原因。在这个过程中,负极的锂离子越来越多,过度堆积使得锂原子长出树桩结晶,使得电池发生鼓胀。
二、过放导致的鼓包
SEI膜对负极材料会产生保护作用,使材料结构不容易崩塌,并且可以增加电极材料的循环寿命。SEI膜并非一成不变,在充放电过程中会有少许的变化,主要是部分有机物会发生可逆的变化。电池过度放电后使得SEI膜发生可逆性破环,保护负极材料的SEI破坏后使得负极材料崩塌,从而形成锂电池鼓包现象。
如果使用的充电器不符合要求,轻则使电池鼓包,重则出现安全事故,甚至爆炸都有可能。
三、生产制造工艺问题
锂电池包制造水平的问题,电极涂层不均匀,生产工艺比较粗糙。
1、用完一半上下的电量就开始补充电量,极少数情况下才进行一次完全的放电和完全充电保养(比如用了几个月到半年了就完全放充一次,频繁完全充放容易长结晶),这样能大大减少结晶量,可明显减缓鼓包现象。
2、鼓包的锂电池可以直接废弃,因为电力容量已经很小了,短路后也没什么威力可言了。
3、锂电池包一般要专业回收才不造成污染,如果没办法处理,就扔到电信通讯服务商服务点的分类回收垃圾桶。
详解五种常见的滤波器
时间:2026-09-05
双速电机的工作原理是什么?
时间:2026-09-05
寄存器变量是什么?及它的存储种类有哪些?
时间:2026-09-05
SDRAM、SRAM与DRAM这几种内存的区别是什么
时间:2026-09-05
为什么电力电子系统中使用低压MOSFET?
时间:2026-09-05
无线通信的原理是什么?它具有哪些通信方式?
时间:2026-09-05
USB转串口与虚拟串口相关
时间:2026-09-03
陷波滤波器的基础知识
时间:2026-09-02
什么是单结晶体管,单结晶体管和场效应晶体管...
时间:2026-09-02
存储芯片的原理、分类及应用
时间:2026-09-02
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06