研究背景
基于LiPF6的商用电解质广泛用于锂离子电池 (LIB)。然而,由于EC的凝固点高导致离子电导率低,脱溶剂过程缓慢,界面电阻大,目前商用的基于LiPF6的电解质的锂离子电池在低温运行中表现不尽如人意。在LiPF6基于LHCEs,LiPF6总是形成界面阻抗高的SEI膜,不能满足低温应用的要求,因此成膜添加剂是非常必要的。常用的添加剂包括氟碳酸乙烯酯(FEC)、二氟磷酸锂(LiPO2F2)等,可以形成界面阻抗低的富LiF的SEI膜,以提高Li在低温下的扩散。
成果简介
近日,中科院陈成猛研究员、徐国宁研究员开发了一种基于LiPF6的局部高浓度电解质,与二氟双(草酸)磷酸锂(LiDFBOP)添加剂协同提高LIB在低温下的性能。在不含 EC溶剂中溶解较高浓度的 LiPF6提高了电解质的整体离子电导率。且Li+–溶剂–PF6–的结构有利于去溶剂化能的降低;同时,引入LiDFBOP构建具有高离子电导率和循环稳定性的SEI膜。实现石墨/锂电池良好的倍率性能和低温性能(-20 °C(0.1 C)时约 240 mAh g–1)。这项工作为开发商用LiPF6基电解质以改善 LIB 在低温下的运行提供了可行的策略。该工作以“Boosting the Low-Temperature Performance for Li-Ion Batteries in LiPF6-Based Local High-Concentration Electrolyte”为题发表在ACS Energy Letters上。
研究亮点
(1) 提出一种基于LiPF6的局部高浓度电解质用于提高 LIB 在低温下的性能。 (2) 在不含EC溶剂中较高浓度的 LiPF6提高了电解质的整体离子电导率 (3) Li+–溶剂–PF6–的结构有利于降低脱溶剂化能。 (4) 石墨/锂电池在低温下-20 °C(0.1 C)的容量约 240 mAh g–1。
图文导读
高浓度电解质(HCE)为2 M LiPF6-DMC。通过在HCE中添加LiDFBOP来制备含LiDFBOP的高浓度电解质(HCE-P)。将1,1,2,2-四氟乙基-2,2,3,3-四氟丙醚(HFE)作为电解质的稀释剂加入上述高浓度电解液中;两个LHCE分别被命名为LHCE和LHCE-P。
此外,商用电解质(1 M LiPF6在 EC:DMC:DEC 中,体积比为 1:1:1)用作参比电解液 (RCE)。五种电解质、DMC 和 HFE 的拉曼光谱如图 1a 所示。可以看到,在HCE中,属于DMC峰值为915cm–1移至 923 和 939 cm–1,且游离DMC减少甚至消失,转化为配位DMC。同时,代表配位PF 6–的峰出现在748 cm–1,这与游离PF 6–的峰值不同(在RCE中716和741cm–1)。这表明在HCE中形成独特的溶剂化结构。
值得注意的是,含HFE稀释剂的LHCE拉曼光谱峰与HCE几乎相同,除了出现在825–875 cm–1左右的峰起源于HFE。这证实了引入HFE后可以保持HCE的溶剂化结构。在HCE-P和LHCE-P中也可以找到类似的结果。因此,LiDFBOP的添加不会破坏LHCE中独特的溶剂化结构。
在图 1b 中,7Li NMR结果表明,高浓度电解质(HCE和HCE-P)的化学位移高于低浓度电解质(RCE),表明Li周围的溶剂化作用增强。此外,尽管加入HFE后,LHCE和LHCE-P的化学位移向较低的场,但它们仍然高于RCE,表明Li+和PF6–之间的相互作用更强。





总结与展望
作者通过设计了一种基于LiPF6的局部高浓度电解液,并以LiDFBOP作为牺牲性添加剂,以改善LIB的低温性能。LHCE的应用有效地提高了Li的导电性;同时,LiDFBOP的引入可通过生成具有低相间阻抗的稳定SEI膜,保证了LiPF6基LHCE的应用。受益于电极-电解质界面化学的稳定性,商用石墨负极表现出良好的倍率性能(在2C时约为225 mAh g-1)和令人印象深刻的低温性能(在-20℃(0.1C)时约为240 mAh g-1)。更重要的是,这项工作证明了Li–solvent–PF6–结构可以降低脱溶剂化能,从而为开发功能性电解质提供了可行的策略,以在现有系统的基础上满足实际生活中低温操作的要求。
审核编辑:刘清
详解五种常见的滤波器
时间:2026-09-05
双速电机的工作原理是什么?
时间:2026-09-05
寄存器变量是什么?及它的存储种类有哪些?
时间:2026-09-05
SDRAM、SRAM与DRAM这几种内存的区别是什么
时间:2026-09-05
为什么电力电子系统中使用低压MOSFET?
时间:2026-09-05
无线通信的原理是什么?它具有哪些通信方式?
时间:2026-09-05
USB转串口与虚拟串口相关
时间:2026-09-03
陷波滤波器的基础知识
时间:2026-09-02
什么是单结晶体管,单结晶体管和场效应晶体管...
时间:2026-09-02
存储芯片的原理、分类及应用
时间:2026-09-02
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06