安世半导体电池管理IC：延长电池使用寿命，优化脉冲负载峰值电流

Nexperia（安世半导体）的电池寿命增强器 IC 不仅延长纽扣电池的寿命，还能提高电池的可用功率并减少电池的整体浪费。

NBM5100A/B和NBM7100A/B电池增强器设计用于消除与锂电池相关的限制并提高性能。Nexperia增强器可选择I2C或SPI接口。NBM5100A/B可轻松集成到器件中，便于进行特性设置和系统信息读取。虽然NBM5100A和NBM7100A支持I2C接口，但NBM5100B和NBM7100B支持SPI接口，因此适合用于各种应用。

NBM5100A/B / NBM7100A/B

2mA至16mA可编程电池负载恒定电流

防止电池电压下降（停电）

>125mA (NBM7100A, NBM7100B) 或>200mA (NBM5100A, NBM5100B) 高输出电流

1.8V至3.6V稳压程控输出电压

低输出电压纹波

NXB0108PW-Q100

8位双电源电平转换芯片，具有自动方向检测功能，输出位推挽结构，特别适合SPI等应用

规定的芯片温度范围: -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C

汽车产品认证符合 AEC-Q100

74AVC8T245PW

宽电源电压范围：

-VCC(A)：0.8 V 至 3.6 V

-VCC(B)：0.8 V 至 3.6 V

输入可接受高达 3.6 V 的电压

规定的芯片温度范围: -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C

NXB0108PWJ

宽电源电压范围：

-VCC(A)：1.2 V 至 3.6 V

-VCC(B)：1.65 V 至 5.5 V

IOFF 电路提供部分掉电模式操作

输入可接受高达 5.5 V 的电压

规定的芯片温度范围: -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C

74LVC1G384GX

1.65 V 至 5.5 V 的宽电源电压范围

极低的导通电阻

32 mA 连续开关电流

高抗噪能力

CMOS 低功耗

3.3 V 时兼容 TTL 接口

规定的芯片温度范围: -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C

NCA9555BY

I²C 总线至并行端口扩展器

工作电源电压范围为 1.65 V 至 5.5 V

待机电流消耗低

施密特触发动作允许在 SCL 和 SDA 输入端实现缓慢的输入转换和更好的开关抗噪能力

规定的芯片温度范围: -40 °C 至 +85 °C

审核编辑：刘清