场效应管和晶闸管的区别
电子元件2026-03-09
场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件,但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅,可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR
电子元件2026-03-09
逆变器的场效应管工作于开关状态,并且流过管子的电流很大,若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好,皆可导致场效应管发热。
场效应管和晶闸管的区别是什么?
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关于这两个电子器件在很多电路中都会遇到,比如场效应管可以作为电磁炉中的开关振荡管、电瓶车充电器电路中作为开关管使用,场效应管尤其在电脑主板中用的比较多;对于晶闸管我们俗称可控硅,这个器件我第一次接触
结型场/绝缘栅型场效应管的工作原理,有什么作用?
电子元件2026-03-09
三极管是由基极注入电流的大小来直接影响集电极电流大小的一种器件,是一种电流控制电流型器件。还有一种半导体器件是利用输入电压来控制输出电流的器件,叫做场效应管。
一文详解MOSFET导通状态漏源电阻
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分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻,缩写为R DS (on)。这个R DS (on)的想法看起来非常简单:当FET截止时,源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。当FET的栅极 - 源极电压
常见的MOSFET驱动方式,驱动电路的参数计算
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在简单的了解MOS管的基本原理以及相关参数后,如何在实际的电路中运用是我们努力的方向。比如在实际的MOS驱动电路设计中,如何去根据需求搭建电路,计算参数,根据特性完善电路,根据实际需求留余量等等,在这些约
KNX42150A MOS管助力380V变频器反激式辅助电源
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KNX42150A:1500V,3A适用于变频器电源,DC-DC转换等 N沟道MOSFET--KNX42150A漏源击穿电压高达1500V,漏极电流最大值为3A,适用于变频器电源,逆变器,DC-DC转换等。
从应用侧出发来给大家介绍一下MOS管里面最常见的NMOS
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说起MOS管,有些人的脑子里可能是一团浆糊。 大部分的教材都会告诉你长长的一段话:MOS管全称金属氧化半导体场效应晶体管,英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,属于绝缘栅极场效晶体管,以
彻底了解MOS管,我们应从两点入手
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❤MOS管即场效应管(MOSFET),属于压控型,是一种应用非常广泛的功率型开关元件,在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见,是电力电子的核心元件。
什么是GAA FET(环绕栅极场效应晶体管)?
电子元件2026-03-09
美国计划禁止用于Gate-all-around GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆,GAA(环绕栅极)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(环绕栅极场效应晶体管)?
MOSFET晶体管的制造工艺
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MOSFET晶体管的制造工艺 MOS场效应管(MOSFET)是金属-氧化物-半导体场效应管的简称,是一种表面场效应器件,是靠多数载流子传输电流的单极型器件。
米勒效应是什么?MOS管能避免米勒效应吗?
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一、认识米勒电容 如图,MOS管内部有寄生电容Cgs,Cgd,Cds。因为寄生电容的存在,所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
讲一讲MOS的概念、工作原理、分类以及相关应用
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集成电路按照所使用的半导体材料,分为硅IC和化合物IC两大类,硅IC可以分为MOS型和双极结型晶体管,两者都既可以用自由电子位载流子,又可以用空穴为载流子。MOS中有不同的类型,如以电子(负:negative)为载流子
IRFB31N20D场效应管使用于汽车功放中
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中国已经成为全球最大、最重要且盈利最多的汽车市场,对于大多数整车厂而言,中国占其全球销量高达50%。但他们要面对的不仅是400多家同行厂商的激烈竞争,还有是对生活品质不断上升的中国消费者。因此在造车的每一
IRFB31N20D场效应管可以用于DSP功放的电路
电子元件2026-03-09
在现阶段的中国音象市场上,由于杜比环绕声影碟比较少,而原版碟价格相对比较昂贵。因此在DSP功放便以其将双声道立体声处理成多声道环绕声等的优点,获得更多市场的青睐。在设计DSP功放电路时,对于主要影响的MOS管
鳍式场效应晶体管FinFET提高芯片的驱动能力
电子元件2026-03-09
鳍式场效应晶体管(FinFET)是立体多栅器件的一种,其主要特征是由鱼鳍形(Fin)的薄层硅构成折叠的导电通道,并由双面或三面折叠包围的栅极控制,如图6-5所示。较薄的沟道和多栅控制提高了器件的栅控能力,可以保
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一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
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