国际整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，简称IR） 推出新一代绝缘闸双极电晶体 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越的性能。

　　崭新的Gen8设计让顶尖的Vce（on） 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR透过开发全新基準技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出我们在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分百变频，藉以更有效使用电能，并且绿化环境。”

　　新技术针对马达驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt减到最低，从而减少电磁干扰和过压，以提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较狭窄，在高电流功率模组内并联起多个IGBT之时，可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻和达到175°C的最高结温。

　　潘大伟表示：“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技术。该IGBT平台凭藉顶尖的Vce（on）、超卓的耐用性及一流的开关功能，把工业市场所面对的艰巨难题迎刃而解。”

　　IR的Gen8 1200V IGBT平台的样本现供应予各大塬始设备製造商 （OEM） 及塬始设计製造商 （ODM） 合作伙伴。