电子元件2026-03-05

CY4型云母电容器 CY4 型云母电容器为钮扣式电容器，它共有六种结构形式，如图4-64 所示。CY4 型云母电容器具有电性能稳定、损耗小、温度系数小、频率特性和电容量稳定性好等特点，适用于高频和超高频的振荡耦合旁路电

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CY11型矩形云母电容器 CY11型矩形云母电容器有四种型号，除CY11-0 型为轴向引线外，其余三个型号为单向引线形式，引线之间的尺寸有46mm ± 0.2mm和36mm ± 0.2mm 两种CY11型矩形云母电容器广泛应用于无线电接收、发送

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瓷介电容器的结构与特点 瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜(一般为银)经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封,即成为瓷介电容器。

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CT1型瓷介电容器 CT1型瓷介电容器为圆片形结构、单向引出，适合印刷电路板安装，具有体积小、容量大的特点，适用于旁路、耦合及鉴频电路中，广泛用在仪器仪表及电子设备中。其外形如图4-68。

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CC2型管形瓷介电容器 CC2 型管形瓷介电容器体积小、容量大，具有多种温度系列组别，对内电极有屏蔽作用，适用于要求低损耗和电容量稳定的交流或脉冲电路中或作温度补偿用。其外形如图4-69 所示.主要特性参数见表4-10

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CC4、CT4型独石(积层)电容器 CC4 、CT4 型独石电容器采用1类陶资介质(NPO)或2类陶瓷介质(X7R 、Y5V) 高温烧结而成，可制成各种场合使用的电容器。其中CC4 型为1类瓷介电容器，适用于高频电路;CT4型为2 类瓷介电容器，

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CC42、CT42型独石(积层)电容器 CC42型独石电容器为1类瓷介( NPO) 电容器，适用于高频电路; CT42 型独石电容器为2类瓷介( X7R 、Y5V) 电容器，适用于低频电路。它们的外形如图4-71 所示，主要特性参数见表4-111 。

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CT7型交流安全瓷介电容器 CT7型交流瓷介电容器充分考虑安全性能，具有体积小、损耗低、安全可靠等特点.适用于彩色电视机、复印机、工业电源以及音像设备等。其外形如图4-72 所示.主要特性参数见表4-112。

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CC10型超高频瓷介电容器 CC10型超高频硅介电容器主要用于高频电路中，频率可达到OMHz。其外形结构分a 、b两种形式，如图4-73 所示，主要特性参数见表4-113 。

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CS1型3类瓷介电容器 CS1型3 类资介电容器具有体积小、电容量大、截止频率高、温度特性优良等特点，适用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。其外形如图4-74 所示，主要特性参数见表4-114 。

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CT8型高压瓷介电容器 CT8型高压盟介电容器适用于高压电子电路的倍压、滤波、储能及旁路等，使用的环境、温度为- 20° ~  + 85℃。其外形如图4-75所示，主要特性参数见表4-115 。

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CC81型中高压瓷介电容器 CC81 型中高压瓷介电容器采用阻燃性环氧粉末封装.具有损耗小、容量稳定、可靠性高等特点，适用于彩色电视机及其他电子设备，在谐振回路和其他电路中做温度补偿、耦合或隔直流用。其外形结构有

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CT81型军用高压瓷介电容器 CT81 型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封，引线为单向引出，适合印刷电路板安装，适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示.

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CCG2型管形高功率瓷介电容器 CCG2 型管形高功率瓷介电容器供槽路、耦合及旁路等电路使用。其外形如图4-78 所示，主要特性参数见表4-119 。

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CT52型穿心瓷介电容器 CT52型穿心瓷介电容器适用于电视机电子调谐器及其他电子设备的滤波电路等。其外形如图4-79 所示，主要特性参数见表4-120。

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CS52A型穿心瓷介电容器 CS52A 型穿心瓷介电容器适用于电视机调谐器及其他电子设备中，其外形如图4-80 所示，主要特性参数见表4-121 。

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