绝缘栅双极型晶体管IGBT结温估算
电子元件2026-03-12
从电压电流对IGBT的关断过程进行分析
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IGBT短路时的工作状态、短路保护电路的原理
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IGBT结温估算—(一)概述
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数字晶体管常用语
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SiC MOSFET学习笔记1:短路保护时间
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功率半导体(IGBT/MOSFET)在电动汽车上的应用
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MOSFET、IGBT、可控硅知识科普
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使用SiC FET替代机械断路器的固态解决方案
电子元件2026-03-12
90V三相栅极驱动芯片-PT5619
电子元件2026-03-12
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IGBT稳态输出特性及其工作原理
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IGBT短路特性
电子元件2026-03-12
电子元件2026-03-09
2023 年 9 月 11 日,中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
电子元件2026-03-09
由21世纪电源网在2024年12月7日深圳举办的“第三届电源行业配套品牌颁奖典礼”上,陆芯科技荣获“功率器件-IGBT行业 卓越奖”。经过几个月的激烈竞争和严格评审,陆芯科技凭借在功率器件领域的创新、产品、技术和
电子元件2026-03-09
三相600V栅极全桥驱动IC PT5616/PT5616A 产品说明 PT5616/PT5616A是全桥驱动IC,在最大阻断电压为600V的三相系统中,用于控制功率器件,如MOS晶体管或IGBT。
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