一款可提高电源效率的负端同步整流芯片U7710

需求回升 负端同步整流芯片U7710大显身手

随着环保意识的提升，在多国政府法规积极推动之下，促使电子产品对电源供应器规格要求越来越严格。电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高，整流器件从最初的肖特基管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管以降低功耗。今天推荐的就是一款可提高电源效率的负端同步整流芯片U7710！

负端同步整流芯片U7710是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7710 支持““共地”同步整流配置，也支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。U7710 采用输出直接给VDD供电，不需要辅助绕阻，也不需要VDD电容,降低了系统成本。内置智能开通检测逻辑防止同步整流误导通。5V输出直接给VDD供电, 无需辅助绕阻，省略了VDD电容，系统成本降低。

系统开机以后，负端同步整流芯片U7710内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.2V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（3.4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。

开通阶段，变压器副边续流阶段开始时，同眇整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于负端同步整流芯片U7710内部MOSFET开启检测阈值，(典型值-200mV)，故经过开通延迟（典型值 20nS）后内部MOSFET开通。

关断阶段，在同步整流 MOSFET 导通期间，负端同步整流芯片U7710采样MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值(典型值-6mV)，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约20ns）后被关断。 

在内部同步整流MOSFET开通瞬间，负端同步整流芯片U7710漏-源(Drain-Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (LEB)。在LEB时间（约1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

审核编辑：刘清