随着人工成本的不断提升,工厂对于工业自动化的需求越来越高。意味着工业自动化设备以及其配套的电源需求也在提升,对于电源生产企业如何通过设计以及元器件的选择来提升产品质量,进而提升市场竞争力就变得非常重要了。
MOS管作为在工业自动化设备电源中的重要电子元器件,其选择代换使用就一定要对MOS管厂家考核清晰。在国产化过程中,在LLC拓扑结构的电路中常见会使用13N50参数的场效应管。
那么要使用什么MOS管型来代换13N50产品的型号参数才能适配电路呢?有什么MOS管厂家的产品是比较好用的。
其实对于工业自动化设备电源的LLC拓扑结构,我们推荐使用2个FHF13N50W组成的LLC拓扑结构电路。毕竟FHF13N50W是可以代换13N50场效应管的产品型号参数。
为何?因为FHF13N50W具备低导通内阻、低栅极电荷、低Crss(典型值12pF)、开关速度快、100%经过雪崩测试、100%经过DVDS热阻测试、100%EAS测试、RoHS产品、100%经过RG测试、高抗dvldt能力、一致性好、可靠性高、属于工业级产品。
从上述特点可知,这一款工业级的13A、500V电流、电压的FHF13N50W场效应管型号参数是非常适合使用在工业自动化设备电源的LLC拓扑结构上。
当然,在应用中,我们研发的工程师一定要了解这款优质FHF13N50W国产场效应管的详细参数:其具有13A、500V的电流、电压, RDS(on) = 0.36Ω(TYP) @VGS = 10 V,RDS(on) = 0.45Ω(MAX) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±30 V。
FHF13N50W场效应管,N沟道增强型(VDMOS)场效应管。该产品还可应用于高频开关电源、逆变电源、电子镇流器。可替代其它品牌型号:13N50。
FHF13N50W的封装形式是TO-220F。这款产品参数:VTH(V):2-4;ID(A):13A;BVdss(V):500V、Vgs(±V):30;。

综合以上的产品参数,工业自动化设备电源的LLC拓扑结构除选用13N50场效应管外,还可以用飞虹半导体的国产型号:FHF13N50W型号参数来代换。
审核编辑:刘清
函数发生器、信号发生器和波形发生器的区别
时间:2026-06-06
电子元器件的常见封装 各种封装类型的特点介...
时间:2026-06-06
普通光敏二极管的检测
时间:2026-06-06
详细介绍8种常用的排序算法
时间:2026-06-06
s9013三级管引脚图及参数
时间:2026-06-06
电压跟随器有什么作用?
时间:2026-06-06
VRRP是什么?VRRP的作用和工作原理
时间:2026-06-05
32768晶振封装尺寸详解
时间:2026-06-05
静态路由是什么?静态路由如何配置?
时间:2026-06-05
一文详解光耦的作用与分类、使用技巧
时间:2026-06-05
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06