工艺可靠性电迁移EM测试

电迁移是金属线在电流和温度作用下产生的金属迁移现象——运动中的电子和主体金属晶格之间相互交换动量，金属原子沿电子流方向迁移时，就会在原有位置上形成空洞，同时在金属原子迁移堆积形成丘状突起。

前者将引线开路或断裂，而后者会造成光刻困难和多层布线之间的短路，从而影响芯片的正常工作。

为更好地满足客户EM测试需求，季丰电子提供EM测试样品制备服务，样品外形涵盖DIP8、DIP16、DIP24、DIP28等。

工艺可靠性电迁移（EM）测试

芯片经过长时间高温、大电流（密度），容易引起金属线metal-line或连接通孔Via失效，测试环境250~300°。

测试流程是通过在施加温度和电流时测量电阻，直至该颗测试样品达到设定电阻变化，被判定失效发生，测试实验终止。

样品制备流程：晶圆减薄划片-陶瓷管壳打线

陶瓷管壳焊线材质一般用金线和铝线，以下将2种材质的样品进行对比：

1. 陶瓷管壳封装-Au wire 实验温度条件 250°C

（FApictureofAubond）

2. 陶瓷管壳封装-Alwire实验温度条件250°C

当温度处于250°C，时间达到48小时，顶部金属扩散到Au和Al衬底，会引起测试结构Open。

EM测试时需要250°以上高温，使用铝线制备EM样品最佳。

审核编辑：刘清