电子元件2026-03-09

在新能源的版块不断增长的情况下，驱动电池BMS越来越受到重视。据数据显示，2020年我国BMS市场需求规模为97亿元，同比增长6.6%，预计2022年BMS市场规模将超120亿元，2025年预计达到160亿元以上。

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电子元件2026-03-09

两个PMOS管背靠背连接，是串联还是并联？ 串联指的是将电子元件按照一定的顺序连接起来，电流通过这些元件时需要逐个经过。而并联则是将电子元件同时连接到一个节点上，电流选择其中一个分支通过。对于两个PMOS管

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变频器辅助电源在选用场效应管时，核心要注意5点大要求： 1.电压和电流参数：根据电路的工作电压和电流要求，选择耐压和电流容量合适的MOS管。

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电子元件2026-03-09

JFET 与 MOSFET的区别 JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。

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电子元件2026-03-09

一、MOSFET简介 MOSFET是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件，其栅极（G极）内阻极高。以N沟道增强型为例，其结构为在一块浓度

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电子元件2026-03-09

当你在从事步进电机控制器研发时，是不是常常面对以下困惑：步进电机驱动器如何选场效应管？现阶段市场上能找到好的国产MOS管替代品吗？选择不慎会不会选到质量不佳的产品？

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利用AgileSwitch Augmented Switching 栅极驱动器 对62 mm SiC 功率模块进行表征 开关SiC MOSFET功率模块会产生两个严重问题：关断电压过冲和振铃。为了优化器件性能，必须要解决这两个问题。我们需要在保持开关

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MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）上桥故障是电子电路中常见的问题之一，通常指的是在电机控制系统中，由于上桥臂的MOSFET出现问题，导致电机无法在控制器的指令下正常工作。以下是对MOSFET上桥故障的分析

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电子元件2026-03-09

作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ（结温）、TA（环境温度）和TC（外壳温度）。

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Part 01 前言 上一篇文章我们介绍了在进行MOSFET相关的电路设计时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了解决此问题，我们提出了两种方法，一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值，另外一种是在MOSFET栅-源极之间

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电源输入的反接保护电路，一般有以下两种电路形式： 01 自恢复保险丝 + 二极管

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Part 01 前言 打开MOSFET规格书，我们会发现所有的MOSFET规格书在Maximum ratings，也就是极限电气参数中给出Avalanche energy, single pulse的值，单位是mJ，对应中文含义是单脉冲雪崩能量，那么这一参数到底

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电子元件2026-03-09

由21世纪电源网在2024年12月7日深圳举办的“第三届电源行业配套品牌颁奖典礼”上，陆芯科技荣获“功率器件-IGBT行业 卓越奖”。经过几个月的激烈竞争和严格评审，陆芯科技凭借在功率器件领域的创新、产品、技术和

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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。

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Part 01 前言 三极管是流控型器件，通过电流控制三极管的工作区，而MOSFET与之相对是压控型器件，栅-源阻抗非常大，我们一般认为MOSFET栅-源工作电流可以忽略，那既然MOSFET是压控型器件，为什么设计MOFET驱动

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Part 01 前言 MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关过程中，由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在，漏极电压的变化会通过该电容耦合到栅极，导致栅极电压出现不希望的变化。 在MOSFET开关的过程中，特别是当漏极电压

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