电子元件2026-03-09
这份文件是GaN Systems易于驱动的GaN功率器件技术介绍,主要介绍了GaN(氮化镓)功率器件的原理、特性及其相较于传统硅基器件的优势。
MDD辰达半导体MDD100N03D 先进Trench工艺N沟道的大电流低内阻MOS
电子元件2026-03-09
在智能家居和电动工具领域,电机驱动的效率与可靠性直接决定了用户体验。无论是洗地机的强劲动力、扫地机器人的持久续航,还是电动工具的高效作业,都离不开一颗强大的“心脏”——MOSFET。
GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
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驱动电路分类 单管GaN → 隔离 → 0V VGS(OFF) →隔离单管驱动电路 • 在低电压,低功率,或对死区损耗敏感的应用中,可使用 0V V GS (OFF) • 如有需要,可应用共模电感以抑制噪声
电子元件2026-03-09
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0
电子元件2026-03-09
前言 随着新能源汽车的热门,作为汽车配套充电桩也要求更快的充电速度。充电桩一般分为直流充电桩和交流充电桩,直流充电桩功率较大被叫做“快充”。快充要求对功率半导体的性能也提出了更高的要求,从高压功率
教科书上没讲清楚的MOS管开关重点今天全交代 MOS管开关的过程解析
电子元件2026-03-09
原文授权自公众号:硬件笔记本 今天咱们来聊聊产品设计中最常见却又最关键的元器件——MOS管。可以说,几乎所有的电子设备都离不开这个它。虽然它看起来原理简单,但实际工作起来却暗藏玄机。特别是它的开关过程
AOS新一代电源设计:基于FRD MOSFET的高效、高可靠设计解决方案
电子元件2026-03-09
导语: “超结”技术凭借其优异的性能指标,长期主导着耐压超过600V的功率MOSFET市场。本文阐述了工程师在应用超结功率器件时需关注的关键问题,并提出了一种优化解决方案,可显著提升电源应用的效率、功率密度及可
如何用合科泰MOS管做一个高性能理想二极管控制器?
电子元件2026-03-09
引言 在现代电子系统中,二极管作为整流、续流和隔离的关键器件,广泛应用于电源管理、太阳能系统、UPS不间断电源等领域。然而,传统硅二极管存在0.7V左右的正向压降,在大电流应用中会产生显著的功率损耗,
超越国际巨头:微碧半导体VBGQTA1101以顶尖TOLT封装重塑功率密度标杆
电子元件2026-03-09
近日,国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET,更以\"热传导与电流路径解耦\"的核心设计,实现
analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
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近年来,工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性,能够在较高开关频率下实现高功率密度,而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在
ST 600-650V MDmesh DM9 超结快速恢复功率MOSFET提高效率和稳健性
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新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性
一起来学习升压型(Boost or Step-up)开关电源
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今天我们一起来学习升压型(Boost or Step-up)开关电源。 原理 让我们从下面的这个经典升压型开关电源电路开始:
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负端5v2A同步整流芯片U7710增速增长 同步整流芯片的主要应用市场,预计未来消费将以年均38.1%的增速增长,至2026年市场达79.64亿元。虽然下游手机市场总体增量放缓,但同步整流芯片的渗透率仍在上升,增长空间巨
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三相600V栅极全桥驱动IC PT5616/PT5616A 产品说明 PT5616/PT5616A是全桥驱动IC,在最大阻断电压为600V的三相系统中,用于控制功率器件,如MOS晶体管或IGBT。
电子元件2026-03-09
18W内置4A MOS电源管理ic U6237D 智能穿戴市场渐成规模许多年,各类产品热了凉,凉了又热,一直算不上稳定。2023年,这个领域再度翻红,从去年年底,市场就隐隐有复苏的迹象。
电子元件2026-03-09
芯片种草——LED照明驱动芯片 U6113 伴随照明需求的多样化,LED照明由于其稳定高效的特点在各类使用场景得到了广泛的发展,其中LED照明驱动芯片技术和制程的持续更新迭代成为照明产品持续发力的关键器件。
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