CMOS器件内部不可忽视的闪烁噪声
电子元件2026-03-09
当器件内部,载流子在不连续的材料上移动时,会随机的遭遇到捕获和释放,进而产生闪烁噪声。
相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能?
电子元件2026-03-09
本文作者:安森美高级产品线经理Jonathan Liao 随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时
电池管理系统的几个硬件设计关键点
电子元件2026-03-09
01. 前言 电池管理系统(BatteryManagement System,BMS)的作用是智能化管理及维护各个电池单元,防止电池出现过放和过充,延长电池的使用寿命;并实时监控电池的状态,使其处于最佳的工作状态。 在BMS的硬件设
看懂低压降稳压器(LDO)一篇就够了
电子元件2026-03-09
电源管理是电子系统中的的一个基本模块。智能手机、电脑和我们所熟知的绝大多数电子产品都需要这个模块去实现本身的功能。随着人们对电子产品便携性的追求,计算能力的增长,以及传感器的多样化,电源管理设计有了
CDM防护措施以及设计思路
电子元件2026-03-09
一.封装 前几期曾经讲过,对封装后的芯片进行CDM测试,大量非平衡载流子会通过金线集聚到封装框架中。所以封装也是影响CDM的关键因素之一,恰宜的封装能大幅度提升芯片的CDM防护等级。(笔者对于封装还是才疏学
米勒电容如何限制高频放大?
电子元件2026-03-09
由于存在物理学定律,电阻、电容和电感将继续成为挑战。我们对此无能为力,所以自热离子真空管问世以来,电子设计人员就学会了通过开发巧妙的电路拓扑来解决这些问题。事实证明,物理学就是物理学,过去适用于真空
推挽电路原理:“上P下N”及“上N下P”的区别
电子元件2026-03-09
在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成:分别是上P下N,以及上N下P。其原理图如下所示,
基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
电子元件2026-03-09
近期,美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)器件。与相比之下,单晶AlN基器件的热阻抗降至AlN/蓝宝石基器件的1/3(
沟道反型层阈值电压Vth介绍
电子元件2026-03-09
昨天关于跨导Gm的结论还是有点粗糙,应该说跨导很复杂,和沟道的特性有关系;需要分开讨论,我们先试着了解导电沟道电流是怎么算的:
基于齐纳二极管的欠压保护电路
电子元件2026-03-09
继电器和适当选择的齐纳二极管足以为任何所需的应用创建精确的低压或欠压切断保护电路。电路图如下所示:
数字电路知识点整理
电子元件2026-03-09
1 数的表示与布尔代数 1.1 数的编码与二进制表示 编码是各种集合的元素映射到字符串的过程 。数字电路中的数字表示就是一串用已约定好的表示的 0 和 1 的组合。二进制的优点:
基于反型层电荷的模型
电子元件2026-03-09
01 BSIM5 BSIM5模型从基本的一维MOSFET物理学出发,推导出基本的电荷和通道电流方程,然后将其扩展到准二维和三维情况,包括短通道、窄通道、多晶硅耗尽和量子力学效应。
传统Boost PFC和无桥PFC的工作原理及状态
电子元件2026-03-09
由于无桥PFC拓扑主要为提高效率(省掉了整流桥及其损耗),但相对传统Boost PFC,在成本(所用MOS管和快速二极管多一倍)、控制(相对复杂)和EMC方面(EMI和surge需要额外处理才能满足要求)不具优势,因此该电路
Vishay VOMDA1271汽车级光伏MOSFET集成关断电路
电子元件2026-03-09
Vishay VOMDA1271器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压(8.5V)达到业内先进水平
全面认识MOS管,一篇文章就够了
电子元件2026-03-09
基础知识中 MOS 部分迟迟未整理,实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管,
为什么数据传输需要电流信号?为什么电流信号是4~20mA呢?
电子元件2026-03-09
在工厂自动化控制领域,模拟信号的传输常见电流信号4-20mA,常见电压信号0-10V,0 5V,-10V +10V,-5V~-5V。
关于测量电压您需要了解的 7 件事
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