电子元件2026-03-09

N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型MOSFET结构的示意图如图4-2a 所示，增强型MOSFET的符号如图4-2b 所示。

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N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N 沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图如图4-4a所示。耗尽型MOSFET 的符号如图4-4b 所示。N 沟道耗尽型MOSFET 的结构与增强型MOSFET 结构相似，不同之处在于N 沟道耗尽型MO

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各种场效应管特性比较

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双栅场效应管(DG FET) 双栅场效应管T可用来构成可控增益放大器，输入信号加在G1 上， G2交流接地，改变加在G2上的偏压，就可控制放大器的增益。图4-5 所示是双栅场效应管4DO1的引脚分布图。双栅场效应管多用于可控增

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FET的主要参数  FET的特点与双极型晶体三极管相比，场效应管有其明显的特点。1) 场效应管是电压控制电流器件，其输入电阻很高，栅极电流几乎为零，适用于对信号源索取电流很小的放大电路中。在用晶体管特性测试仪测

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场效应管放大电路 场效应管(FET)与双极型晶体三极管(BJT)一样能实现对信号的控制。由场效应管组成的基本放大电路与晶体三极管组成的放大电路类似。FET的三个电极(G、D、S)分别和BJT的三个电极(B、C、E)对应，从工作原

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1) 固定偏置电路共源组态的基本放大电路如图4-6 所示。为了使耗尽型JFET 工作在放大区，应该给FET 栅极提供负偏压。图4-6a 是为FET提供负偏压的固定偏置放大电路，偏置电压由外加电压Ugg提供，由于FET的输入电阻

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分压式自给偏压电路

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FET的小信号等效模型FET的输出特性可知，漏极电流Id与漏源电压和栅源电压的关系为

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共漏极放大电路 共漏极放大电路如图4-12 所示。由图可见，共漏极放大电路的直流偏置电路与共源极放大电路完全相同，静态工作点的分析方法也和共源极放大电路相同。但输出电压从源极取出，交流通路和微变等效电路如图

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场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数     场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister

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MOS场效应管     MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemIConductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘

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场效应管概念:　　根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。　　场效应管场效应晶体管（Field

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场效应管的分类:　　场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类　　按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

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　场效应管特点:　　具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.　　

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场效应管的主要参数 :　　　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.　　Ut — 开启

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