电子元件2026-03-09

现代设备对电源的性能要求越来越高，未来电源将向着高功率密度、高效率、低EMI、小体积等方向发展。为了实现以上需求，现代的电源的频率越做越高、谐振技术也逐步开始流行。

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光伏逆变器前级往往需要先升压，再进行逆变。低压通过高频升压的主要目的是减小逆变器体积、提高功率密度、减小损耗，提高效率。但高频同样也面临诸多问题，如电磁干扰严重，SPWM驱动信号易受到影响等问题。

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开漏(open drain)(OC开集，OD开漏) 开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。

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1 单相全桥逆变器的原理 单相逆变器常见的调制方法有：单极性SPWM调制、双极性SPWM调制和单极性等效双极性SPWM调制，对应的调制波形如图1所示。

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反激式适配器同步整流芯片U7710SG 反激式充电器和适配器的同步整流芯片U7710SG是一种开关电源的同步整流电路，它集成了N通道MOSFET和驱动电路，用于DCM、QR的同步整流。同步整流能有效降低二次侧整流的功耗，提

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混频器(Frequency Mixer)是一种三端口器件，实现由两个频率产生新的频率的技术，又称为变频器(Frequency Conversion)。

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混频器(Frequency Mixer)是一种三端口器件，实现由两个频率产生新的频率的技术，又称为变频器(Frequency Conversion)。为了达到频率变换的目的，混频器常采用非线性元件或时变元件。

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双极型三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 　　双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。　　　　双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两

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我们知道在射频微波电路中Cascode和吉尔伯特单元是最为常见的电路结构（LNA、PA、Mixer、VGA、PS等电路中常常有使用到），那么在开聊这些稍微复杂的电路结构之前，咋门先看看下面的一个简化的电路，大家可先停下来

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我们常接触到，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多

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“异或”逻辑元件广泛应用于各种数字设备中。然而，在某些情况下，例如，当使用更高的工作电压时，使用标准芯片是不可能的。这个问题可以通过使用离散元来解决。

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mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况

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01 MOS管种类&结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是

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LDO，全称低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator），属于线性电源，应用时所需要的外接元件较少，一些型号的LDO只需在输入端和输出端各接一个滤波电容。

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双极型三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 　　双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。　　　　双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两

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