全新RE01在EEMBC ULPMark-CP基准测试认证中获得705分瑞萨电子集团今日宣布，扩展其超低功耗嵌入式控制器RE产品家族，推出采用瑞萨突破性的SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺、基于Arm Cortex-M0+内核构建的新品。该RE01群最新成员搭载256KB闪存，区别于已量产、集成了1.5MB闪存的现有产品。该全新控制器具备最小3.16mm×2.88mm WLBGA封装尺寸，且针对用于传感器控制的更紧凑的物联网设备的产品设计进行了优化，适用于智能家居、智能楼宇、环境感测、（建筑物/桥梁）结构监测、跟踪器和可穿戴设备等应用。新款嵌入式控制器在EEMBC ULPMarkTM-CoreProfile（CP）认证中获得705分，充分验证了其领先能源效率 （注1）。凭借瑞萨独有的SOTB制程工艺，可极大降低运行及待机电流消耗，才能取得如此高评分。瑞萨电子高级副总裁、物联网及基础设施事业本部SoC事业部负责人新田启人表示：“我们对RE家族产品的超低功耗获得官方认证感到非常荣幸，并希望以此推动RE产品家族得到更广泛的应用，延长嵌入式设备的电池寿命，并减轻更多客户在电池维护方面的负担。”该新产品的电流消耗在工作状态下可低至25μA/MHz，待机状态下可低至400 nA，其超低功耗在全球处于领先地位。用户可通过瑞萨超低Iq ISL9123作为外部降压稳压器，将工作电流消耗进一步降低至12μA/MHz。RE具有超低功耗，可显著延长嵌入式设备的电池寿命。它们还适用于需要多个传感器的实时数据处理应用，即使由低电流紧凑型电池或能量采集设备供电也能高速运行。当前市场上具有1.5 MB闪存的RE MCU适合需要大存储容量的应用，例如图像数据处理或无线更新固件等。而全新RE01产品群非常适合紧凑型设备和用于传感器控制的物联网设备。全新RE01产品群R7F0E01182xxx的关键特性：

Arm Cortex-M0+ 内核，最大工作频率64MHz

256KB闪存和128KB SRAM

软件待机状态消耗电流：400nA

工作电压范围：1.62V ~ 3.6V；从1.62V开始，最高可达64MHz高速运行

封装规格：约3mmx3mm 72引脚WLBGA、7mmx7mm 56引脚QFN、14mmx14mm 100引脚和10mmx10mm 64引脚LQFP

片上能量采集控制电路（快速启动电容器充电、二次电池充电保护功能）

约4μA超低功耗和14位A/D转换器

支持闪存编程，功耗约为0.6mA

使用TSIP内核的强大安全功能

深度待机模式下，实时时钟可持续工作，1.8V供电时消耗电流为380nA。

RE产品家族开发环境

EK-RE01 256KB评估套件可与用户系统结合使用，以评估包括能量采集系统在内的所有外围功能。该套件中的评估板包括ISL9123超低Iq DC++/DC转换器，它能够测量12μA/MHz的极低工作电流。除了能量采集系统所需的能量采集元件接口和二次电池连接接口外，评估板还配备了可轻松扩展和评估传感器板的Arduino兼容接口，以及可轻松扩展并评估无线功能的PmodTM连接器。兼容的开发工具包括支持IAR C/C++编译器的IAR Embedded Workbench for Arm和支持GNU编译器的e2 studio，两款工具均可免费获得。此外，还提供支持Arm Cortex微控制器软件接口标准（CMSIS）的驱动程序软件，同时也可支持用于无法承受由驱动程序软件运行导致功率损耗的低功耗应用的低级示例代码。瑞萨电子致力于扩展基于SOTB工艺的RE产品家族阵容、支持低功耗系统的开发，进而推动实现环保型智能社会。
? ? ? ?责任编辑:pj