电子元件2026-03-09
美格纳半导体公司宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽中压MOSFET，是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。
什么是漏极,场效应管的结构原理是什么?
电工问答2026-03-04
什么是漏极,场效应管的结构原理是什么? 漏极 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极
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