一种减少VDMOS寄生电容的新结构
电子元件2026-03-16
电子元件2026-03-09
平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择？ 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)的不同设计类型。它们在结构上存在一些细微的差异，这些差异对它们的雪崩耐量和
分别说说VMOSFET的VVMOS和VDMOS两种结构
电子元件2026-03-09
MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培，漏源电压可以达到100V以上，但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点，使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后，VMOSFET的耐压可达到
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