电子元件2026-03-09
1 2000〜2010年CMOS工艺流程 有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟由芯片设计、工艺技术，以及互连的导体和电介质材料决定。
半导体行业之ICT技术介绍（四）
电子元件2026-03-09
所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表面生长二氧化硅层(见下图)。然后，两片晶圆面对面在高温下挤压并键合在一起，键合区域通过二氧化硅隔开。高
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