N+缓冲层结构对MCT瞬态特性（TLP）的影响
电子元件2026-03-09
随着功率MOSFET和IGBT的出现，双极型晶体管的发展受到一定影响。但在更高电压、更大电流的应用中，随着外延层（或单晶）厚度、电阻率的的增加，MOSFET、IGBT导通压降随之大幅上升。而双极型晶体管、晶闸管及其衍生器
分子束外延In掺杂硅基碲镉汞技术研究
电子元件2026-03-05
随着碲镉汞红外焦平面技术的发展，对碲镉汞材料的面积大小、组分均匀性以及电学性质的要求越来越高。要实现载流子在较大范围内的控制以满足各类红外探测器的要求，需要对碲镉汞材料进行掺杂。掺杂技术与pn结的性能
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