电子元件2026-03-09

我们常接触到，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多

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“异或”逻辑元件广泛应用于各种数字设备中。然而，在某些情况下，例如，当使用更高的工作电压时，使用标准芯片是不可能的。这个问题可以通过使用离散元来解决。

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mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况

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01 MOS管种类&结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是

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LDO，全称低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator），属于线性电源，应用时所需要的外接元件较少，一些型号的LDO只需在输入端和输出端各接一个滤波电容。

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双极型三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 　　双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。　　　　双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两

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我们知道在射频微波电路中Cascode和吉尔伯特单元是最为常见的电路结构（LNA、PA、Mixer、VGA、PS等电路中常常有使用到），那么在开聊这些稍微复杂的电路结构之前，咋门先看看下面的一个简化的电路，大家可先停下来

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场效应管介绍 场效应管（英缩写FET）是电压控制器件，它有输入电压来控制输出电流的变化。它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。

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绝缘栅型场效应管(MOS管) 1.绝缘栅型场效应营的结构绝缘栅型场效应管的结构如图16-6 所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从Si02上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅

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MOS场效应管 表16-3 列出了一些小功率MOS 场效应管的主要特性参数。

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场效应管的主要特性参数 场效应管的直流参数 1.夹断电压Up在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。

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场效应管的偏置电路 为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路.叫做直流(静态)偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏

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场效应管的基本放大电路 和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。

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场效应管的使用注意事项 使用氖气辉光灯泡时应注意以下事项:①使用氖气辉光灯泡时必须串接限流电阻。限流电阻的阻值可由下式确定:

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场效应管质量的简易判断 1.结型场效应管电极的判别根据结型场效应管的PN 结正、反向电阻值的不同.可以用万用表判别出结型场效应管的三个电极。具体方法参见图16-17 ，将万用表置R x 1k 挡，用万用表的负表笔任意接一

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3DJ系列N沟道结型场效应管 3DJ 系列场效应管的主要特性参数见表16-1 。

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