电子元件2026-03-09

CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表16-2 。

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

小功率MOS场效应管的主要特性参数

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表16-4 列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

N沟道结型场效应管的结构 结型场效应管的结构示意图及其符号如图4-1所示。其中图4-1a为N沟道JFET的结构示意图。

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

N沟道结型场效应管的工作原理 (1)Ugs对导电沟道和D i 的控制作用当Ugs= 0时，导电沟道未受任何电场的作用，导电沟道最宽，当外加Uds 时，D i 最大；当Ugs由零向负值增大时，在GS u 的反向偏置电压作用下，耗尽层将加

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

结型场效应管的特性曲线 1）输出特性曲线N 沟道结型场效应管的输出特性曲线是指当栅源电压Ugs一定时，FET漏极电流Id与漏源电压Uds之间的关系曲线用函数关系表示为

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型MOSFET结构的示意图如图4-2a 所示，增强型MOSFET的符号如图4-2b 所示。

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N 沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图如图4-4a所示。耗尽型MOSFET 的符号如图4-4b 所示。N 沟道耗尽型MOSFET 的结构与增强型MOSFET 结构相似，不同之处在于N 沟道耗尽型MO

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

各种场效应管特性比较

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

双栅场效应管(DG FET) 双栅场效应管T可用来构成可控增益放大器，输入信号加在G1 上， G2交流接地，改变加在G2上的偏压，就可控制放大器的增益。图4-5 所示是双栅场效应管4DO1的引脚分布图。双栅场效应管多用于可控增

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

FET的主要参数  FET的特点与双极型晶体三极管相比，场效应管有其明显的特点。1) 场效应管是电压控制电流器件，其输入电阻很高，栅极电流几乎为零，适用于对信号源索取电流很小的放大电路中。在用晶体管特性测试仪测

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

场效应管放大电路 场效应管(FET)与双极型晶体三极管(BJT)一样能实现对信号的控制。由场效应管组成的基本放大电路与晶体三极管组成的放大电路类似。FET的三个电极(G、D、S)分别和BJT的三个电极(B、C、E)对应，从工作原

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

1) 固定偏置电路共源组态的基本放大电路如图4-6 所示。为了使耗尽型JFET 工作在放大区，应该给FET 栅极提供负偏压。图4-6a 是为FET提供负偏压的固定偏置放大电路，偏置电压由外加电压Ugg提供，由于FET的输入电阻

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

分压式自给偏压电路

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

FET的小信号等效模型FET的输出特性可知，漏极电流Id与漏源电压和栅源电压的关系为

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

共漏极放大电路 共漏极放大电路如图4-12 所示。由图可见，共漏极放大电路的直流偏置电路与共源极放大电路完全相同，静态工作点的分析方法也和共源极放大电路相同。但输出电压从源极取出，交流通路和微变等效电路如图

阅读全文 >>