电子元件2026-03-09

场效应管的特性 图1.1    结场效管漏极输出曲线 下面以N沟道.结型场效应管为例说明场效应管的特性.   图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区 。

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场效应管的判别与实验测试            结型场效应管有三个电极，即源极S、栅极G和漏极D，可以用数字万用表测量二极管导通电压的方法，先把栅极找出，根据栅极相对于源极和漏极都为PN结，用类似测量二极管的

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场效应管的使用注意事项            场效应管的种类和系列品种比较多，但它们的电路测试原理和测量方法基本相同。在运输和存放绝缘栅型场效应管时，由于其输入电阻非常高，抗静电能力差，管内不存在保护性

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场效应管的基本应用:共源极放大器 1)静态工作点的测试            上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以

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铁硅(DuraFlux)磁芯用于PFC、输出滤波、差模及电压调节模块（VRM）电感的优异性

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在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电

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　　1.概念 　　根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件.

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　　场效应管的转移特性曲线是表明当漏、源极所加电压V舾保持不变时，漏极电流ID和栅、源电压Vcs之间的曲线关系。它反映的是栅、源电压Vcs对漏极电流ID的控制作用。其中坐标横轴代表栅源电压Vcs，纵轴表示漏极电流ID

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场效应管的替换原则是什么 场管的代换原则（只适合主板）　　 　　　 场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可　　　 功率大的可以代换功率小的　　　 技嘉主板的场管最好原值代换

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　　经查大量资料后，总结出目前市场上常见之高速光藕型号供大家选择： 　　100K bit/S:

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  　　1、结型场效应管的管脚识别： 　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚

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  　　MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描

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  　　总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。

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　　MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 　　第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损

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　　在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管（BJT）是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT

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本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

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