电子元件2026-03-09

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen

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电子元件2026-03-09

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET®功率MOS

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电子元件2026-03-09

　　东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布面向超低功率微控制器（MCU）开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管（TFET）。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用

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电子元件2026-03-09

　　通过采用DMOS FET 型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵容 　　东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布，该公司正在开发BiCD［2］晶体管阵列TB62xxxA系列，以取代其双极晶体管阵列TD62xxx系列。后者在一系列广

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电子元件2026-03-09

　　• 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET STA关联性的严格的精度目标 　　• Cadence的16纳米FinFET v1.0单元库特性分析现已运用于制程和STA工具认证

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电子元件2026-03-09

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的

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电子元件2026-03-09

　　英飞凌推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间

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电子元件2026-03-09

　　逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及

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　　mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数

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电子元件2026-03-09

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半

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电子元件2026-03-09

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导

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　  场效应管工作原理 　  MOS场效应管电源开关电路。 　　这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。

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　　测试电路示意图如图1所示，栅极G到漏极D与源极S之间为两个PN结。而漏、源极之间是对称结构，呈纯电阻性，即正反向电阻基本相等，根据这一特点用万用表便可很容易判断各电极（管脚）。方法是：在不知管型的情况

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　　场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

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电子元件2026-03-09

场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不

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电子元件2026-03-09

　　该电路是由约翰·伦德格伦改编自“拨动开关去抖的按钮”。需要从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，这个电路是有用的。任何数量的瞬间（N / O）开关或按钮可并行连接。

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