电子元件2026-03-19
SiGe和GaAs工艺对比
电子元件2026-03-09
GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件,但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势,尤其是高频应用。
GaAs二极管在高性能功率变换器中的应用
电子元件2026-03-07
GaAs二极管是WBG功率半导体中的全新成员,其为设计人员提供了一种能够在高性能功率变换器中平衡效率与成本的方案。GaAs二极管技术是由3-5 Power Electronics (3-5pe.com)率先开发的,其具有Si 二极管的低传导损耗特
基于InGaAs NFAD的集成型低噪声近红外单光子探测器
电子元件2026-03-07
近年来,基于InGaAs单光子雪崩二极管(SPAD)的近红外单光子探测技术在远距离激光雷达等系统中的应用日益广泛,展现了其低功耗、小体积等优势。然而,其暗计数较Si基探测器高,且在一次探测事件后出现后脉冲噪声计
SiGe和GaAs工艺对比
电子元件2026-03-05
GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件,但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势,尤其是高频应用。
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