SiC MOSFET使用沟槽栅真的有必要吗？
电子元件2026-03-12
绝缘栅双极型晶体管IGBT结温估算
电子元件2026-03-12
平面栅和沟槽栅的MOSFET的导通电阻构成
电子元件2026-03-12
高k栅介质NMOSFET远程声子散射对沟道迁移率的影响
电子元件2026-03-12
绝缘栅双极型晶体管IGBT工艺仿真
电子元件2026-03-09
IGBT全称绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）。其历史可以追溯到1979 年。当时，在美国通用电气公司的 B.J.Baliga 首次在论文中描述了一个四层垂直器件结构，并通过相关实验证明了可以通过调节
SiC MOSFET使用沟槽栅真的有必要吗？
电子元件2026-03-05
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的源
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