电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-07

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能，通过使用超薄的氮化镓铝（AlGaN）缓冲层而不是更常见的复杂、厚的AlN/AlGaN结构[Yuting Sun et

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电路图基础2026-03-07

　　具有 TI 无线 SoC 处理器以及时钟和接口解决方案的电信基带单元的系统方框图 (SBD)。

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电子元件2026-03-05

 1   SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较   我们从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与S

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