1.带阻尼行输出管的检测
用万用表R×1 Ω 档,测量发射结(基极b 与发射极e 之间)的正、反向电阻值。正常的行输出管,其发射结的正、反向电阻值均较小,只有20~50 Ω。
用万用表R×1 kΩ 档,测量行输出管集电结(基极b 与集电极c 之间)的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接基极b,红表笔接集电极c)为3~10 kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0 或均为无穷大,则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表R×1 kΩ 档,测量行输出管c、e 极内部阻尼二极管的正、反向电阻值,正常时正向电阻值较小(6~7 kΩ),反向电阻值为无穷大。若测得c、e 极之间的正、反向电阻值均很小,则是行输出管c、e 极之间短路或阻尼二极管击穿损坏;若测得c、e 极之间的正、反向电阻值均为无穷大,则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量,其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力(交流电流放大系数β 值)不能用万用表的hFE 档直接测量,因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极c 与基极b 之间并接1 只30 kΩ的电位器,然后再将行输出管各电极hFE 插孔连接。适当调节电位器的电阻值,并从万用表上读出β值。
2.带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1 只或2 只电阻器,故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解电阻器的阻值。
测量时,将万用表置于R×1 kΩ 档,测量带阻晶体管集电极c 与发射极e 之间的电阻值(测NPN管时,应将黑表笔接c 极,红表笔接e 极;测PNP 管时,应将红表笔接c 极,黑表笔接e 极,正常时,阻值应为无穷大,且在测量的同时,若将带阻晶体管的基极b 与集电极c 之间短路后,则应有小于50 kΩ的电阻值。否则,可确定为晶体管不良。
也可以用测量带阻晶体管b、e 极,c、b 极及c、e 极之间正、反向电阻值的方法(应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响)来估测晶体管是否损坏。
什么是感应电机?什么是无刷电机?二者有何区...
时间:2026-10-23
多核DSP的多路同步时钟信号设计
时间:2026-10-23
什么是lcd12864?lcd12864的特性及其应用举例
时间:2026-10-23
IoT无线连接基础知识
时间:2026-10-23
光是一种电磁波,那么光的频率是多少?
时间:2026-10-22
DRAM简介
时间:2026-10-22
电容耦合是什么意思呀?
时间:2026-10-22
什么是单总线
时间:2026-10-21
STM32的CAN总线通信实现
时间:2026-10-21
什么是电源管理?有什么作用
时间:2026-10-20
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
半导体行业之ICT技术简介
时间:2026-03-09