场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
(1)为了安全运用场效应管,在线路的设计中不能超越管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
(2)各类型场效应管在运用时,都要严厉按恳求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。
(3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必需将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。特别要留意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保管时最好放在金属盒内,同时也要留意管的防潮。
(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,恳求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必需有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端坚持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以恰当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,假设能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较便当的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在运用场效应管时必需留意。
(5)在安装场效应管时,留意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处中止,以防止弯断管脚和惹起漏气等。关于功率型场效应管,要有良好的散热条件。由于功率型场效应管在高负荷条件下运用,必需设计足够的散热器,确保壳体温度不超越额定值,使器件长期稳定可靠地工作。
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