是时候来科普下威武的铁电（FRAM）技术了！望文生义对于工程师可不行，例如曾有客户在设计一级三相智能电表的时候，对是否选择铁电存储器（FRAM）之前，向我们提出了一个问题：“工业环境中那么多电磁干扰，甚至磁铁，它会不会易于被杂散磁场扰乱？”看来“铁电”这个术语多少起到了一点误导作用。

FRAM虽然叫“铁电”，但是完全与“Fe”元素无关（FRAM含有钛和钴）。这一技术采用了一种具有两种状态的分子，并且这一分子在电场中使其从一种状态转变为另一种状态时表现出滞后现象。因为这一滞后现象类似于磁介质中的磁滞效应，因此人们将其命名为“铁电”效应，并且这一叫法保留了下来。

FRAM官方解释

FRAM（铁电随机存取存储器）也被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

FRAM技术和工作原理

FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性（Ferroelectricity）和铁电效应（Ferroelectric Effect）来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。

下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使再出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。

当一个电场被加到铁电晶体时，中心离子顺着电场的方向在晶体里移动，当离子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。

移去电场后中心离子保持不动，记忆体的状态也得以保存。

材料本身的迟滞特性的两个稳定点代表0或1的极化值。

存储器分类中的FRAM

* 非易失性：即使没有上电，也可以保存所存储的信息。

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