FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

FRAM技术和工作原理FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性（Ferro electricity）和铁电效应（Ferroelectric Effect）来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。

（1）当一个电场被加到铁电晶体时，中心离子顺着电场的方向在晶体里移动，当离子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。

（2）移去电场后中心离子保持不动，记忆体的状态也得以保存。

（3） 材料本身的迟滞特性的两个稳定点代表0或1的极化值。

FRAM三大特点非易失性、高度写耐久性、高速读写是FRAM的三大主要优势。

FRAM与其他存储器的比较

FRAM与EEPROM相比的优势

FRAM有多快？如果我们写入2Mbit的数据，那么FRAM只要0.5s，Flash需要2.9s，而EEPROM则需要13.4s。

FRAM的特长及应用

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