电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-09

所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表面生长二氧化硅层(见下图)。然后，两片晶圆面对面在高温下挤压并键合在一起，键合区域通过二氧化硅隔开。高

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电子元件2026-03-09

前言 随着新能源汽车的热门，作为汽车配套充电桩也要求更快的充电速度。充电桩一般分为直流充电桩和交流充电桩，直流充电桩功率较大被叫做“快充”。快充要求对功率半导体的性能也提出了更高的要求，从高压功率

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电子元件2026-03-09

01 BSIM5 BSIM5模型从基本的一维MOSFET物理学出发，推导出基本的电荷和通道电流方程，然后将其扩展到准二维和三维情况，包括短通道、窄通道、多晶硅耗尽和量子力学效应。

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电子元件2026-03-09

使用高压MOS作为开关，例如下图（来自于ADI官网）LTC2949的典型应用电路中，使用高压MOS作为绝缘检测的桥臂开关；选用高压MOS的原因是成本相对比光MOS要低。

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电子元件2026-03-09

画电路板的小伙伴可能经常遇到各种标号，今天就来分享一下电源相关标号的内容。

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电子元件2026-03-07

无源器件在电路中一直扮演着很重要的角色，同样在ESD设计中也需要应用无源器件，亦或是无源器件也同样要承受ESD冲击。所以这一期针对无源器件：电阻在ESD设计中的应用与面对ESD的失效机理做一个讨论。

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电子元件2026-03-05

在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。下图(b)为AA刻蚀后的横截面;下图(c)为形成STI后的横截面；下图(d)显示了P阱形成后的横截面。STI和P阱形成

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